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Stack Rolling Shutter是什么技术?

2025/2/25 5:18:53 来源:https://blog.csdn.net/sqqwm/article/details/140849386  浏览:    关键词:Stack Rolling Shutter是什么技术?

        我们常见的有卷帘快门(Rolling Shutter)与全局快门(Global Shutter),那思特威对外宣传的Stack Rolling Shutter是个什么技术?

        官网查询不到相关信息。

        英文百度查询结果是一些宣传性质的软文,binig上的相关信息更少。

        接下来猜测这是思特威的发明,Stack(堆叠) + Rolling Shutter(卷帘快门),也就是堆叠卷帘快门。

用中文搜索 堆叠卷帘快门,有一篇文章《图像传感器的堆叠与互联》中提到“三芯片堆叠卷帘快门”

        看完这篇文章,提到了sony在2015年发布的像素/DRAM/逻辑三芯片堆叠RS。“DRAM芯片堆叠在像素阵列芯片和逻辑芯片之间,用于临时存储信号。像素阵列、DRAM和逻辑芯片分别采用90 nm、30 nm和40 nm工艺技术加工。DRAM的硅被抛光至3-5μm 厚,使芯片堆叠的总厚度保持在 130μm。像素阵列和 DRAM 芯片都向下面向逻辑芯片。后通孔 TSV 和重新分布层由面对面直接键合 DRAM 和逻辑芯片堆栈的背面形成,用于外围芯片到芯片互连。然后,BSI 像素阵列芯片被面对面粘合在 DRAM 逻辑芯片堆栈的顶部。后通孔 TSV 从 BSI 像素阵列芯片的背面形成,作为外围区域的芯片间互连。接合焊盘处的 后通孔 TSV 直径为2μm至1.5μm,间距为6.3μm。当临时存储器可用时,具有最小化图像失真的并行读出方法成为可能。此 7.73 mm(对角线)三芯片堆叠 BSI-CIS 演示了1.22μm×1.22μm像素下 30 fps 的帧速率 和总计 19.3 MP。层叠芯片的剖面如图9所示。”

        索尼公司的像素阵列、DRAM 和逻辑三芯片堆叠图像传感器,使用电介质对电介质键合,然后在外围区域采用最后通孔 TSV 互连

        感觉思特威对外宣传的Stack Rolling Shutter应该也是为了解决卷帘快门带来的图像失真问题而发明的工艺,通过添加DRAM芯片来存储像素信号并缩短信号读出延迟;是否就类似上文三星的堆叠芯片的工艺,不得而知。

        有业内专业人士了解请给解释下吧。

参考资料:图像传感器的堆叠与互联__财经头条

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