记录B站学习模电的过程【4K精品】模拟电子技术基础 上交大 郑益慧主讲（模拟电路/模电 讲课水平略胜华成英，视频质量完爆清华版 4K超清重制版）_哔哩哔哩_bilibili
概论
二极管-三极管-场效应管（器件基本知识）
元件————》分离放大电路————》功率大电源类
集成运算放大器 开环及负反馈
放大电路问题：频率响应。
1：常用半导体器件基础知识
1.1：半导体
半导体概念：介于导电与不导电之间即 导体与绝缘体之间
本征半导体： 一种纯净、未经掺杂的半导体材料
1.2：载流子
本征激发：自由电子逃离共价键并留下空穴的过程（速度与温度正相关）
自由电子：用来导电
空穴：也是一种载流子，通过电子的移动，导致空穴相对移动。
复合：自由电子进入空穴形成共价键，这个过程（速度与浓度相关）
1.3：载流子的浓度
温度升高，浓度升高。到一定温度后达到稳态。
1.4：杂质半导体
通过参杂来构建杂质半导体（掺入少量杂质元素）
1.4.1：N型半导体（Negative）带正电
掺入磷P，+5价，存在大量自由电子（载流子：空穴与自由电子 且自由电子非常多成为多子，空穴为少子）
温度对多子影响不大（量级问题），对少子的影响较大
1.4.2：P型半导体（positive）带负电
掺入硼，+3价，空穴为多子，自由电子为少子。
1.5：PN结
把P型半导体与N型半导体放一起，形成PN结
扩散运动：浓度高向浓度低运动
空间电场方向：从右指向左 空间电荷区起阻止载流子移动的区域，称为耗尽层或阻挡层，也叫PN结。
少子漂移，偷跑成功的
对称结与不对称结，有PN结阻挡就不导电？？？
PN结具有单向导电性。
通过外加电场，来削弱内部电场的作用 ------》外加电场 内部电场 《---------
正向导通 由P到N
反向电压 截至（增强了内部电厂的耗尽层）
可能由少子飘逸导致 温漂现象，出现mA级电流
PN结电流方程
正向导通是指数关系，电压不到开启电压是死区
反向存在一个击穿位置：
雪崩击穿：掺杂浓度低，链式反应，粒子加速器，1变2，变4.。。 PN结宽度大（需要温度高电压高）
齐纳击穿：掺杂浓度高，克服共价键束缚，PN结击穿（需要温度低电压低）
反向击穿-------》温度升高，热效应。导致烧坏了。 控制温度，不要过热
用反向击穿特性做稳压二极管。
1.6：PN结的电容效应
不是线性电容，势垒电容
2：二极管
2.1：二极管外型
二极管的伏安特性与PN结基本一致
体电阻的存在，电流比PN小，反向电流大一些
温度的影响：相同电压下，温度升高，电流增大
室温每升高1°，正向压降下降2~~25mv
每上升10° 反向电流增大一倍
正向：导通 ，钳制电位
反向：以二极管做温度传感器，稳压二极管
通过改变PN结来做不同电压的稳压二极管。
2.2：二极管的主要参数
IF工作电流 UR最高工作电压（反向击穿） IR 小的，反向截至 fM最大工作频率 势垒电容会因为频率原因造成容抗减小。
模电用线性元件等效非线性电路。
2.3：二极管等效电路
伏安特性折线化
a：理想二极管，反向0，正向电压0
b：开通电压，反向0 ，正向等效为理想加一个固定电压
c：开通电压存在一定比例
2.4：限幅电路
当二极管截至时，即不导通加反向，电位为电压源电位Us，导通之后为von加v1 ，达到正向限幅作用
理想二极管就是开启为Us，截至为0 ，起到整流作用
叠加直流
二极管的微变等效
1直流 ID 2交流 等效为一个电阻rd
移动坐标点，去除直流
iD真实电流：交流加直流。
rd跟静态点所在位置有很大关系。
2.5：稳压二极管
特点：工作在反向截至区
伏安特性
主要参数：
温度系数α 稳压值Vz
6v以下齐纳 6v往上雪崩多
3：晶体管
三个电极，两个PN结。
基极，集电极，发射集。
3.1：三极管：电流放大作用
放大
基本共射放大电路
放大系数
共射：IC比IB，E发射极未参与。
β = IC/IB
共基：就是基极不用 IC比IE
α = β/1+β
三极管：电流放大作用 ，发射结正偏，集电结反偏
ICEO存在穿透电流
