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AO3401A-ASEMI中低压P沟道MOS管AO3401A
型号：AO3401A
品牌：ASEMI
封装：SOT-23
最大漏源电流：-4.2A
漏源击穿电压：-30V
批号：最新
RDS（ON）Max：0.06Ω
引脚数量：3
沟道类型：P沟道MOS管
芯片尺寸：MIL
漏电流：
恢复时间：5ns
芯片材质：
封装尺寸：如图
特性：中低压MOS管、P沟道MOS管
工作结温：-55℃~150℃
AO3401A场效应管
AO3401A的电性参数：最大漏源电流-4.2A；漏源击穿电压-30V
特征：
低固有电容。
出色的开关特性。
扩展安全操作区域。
无与伦比的栅极电荷：Qg=75 nC（典型值）。
BVDSS=-30V，Id=-4.2A
RDS（开）:0.06Ω （最大值）@VG=-4.5V
