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LNA设计

2025/4/21 3:29:55 来源:https://blog.csdn.net/m0_52093166/article/details/146444623  浏览:    关键词:LNA设计

设计目的

为后级提供足够的增益以克服后级电路噪声

尽可能小的噪声和信号失真

确保输入和输出端的阻抗匹配

确保信号线性度

评价标准

噪声系数

功率增益

工作频率和带宽

输入信号功率动态范围

端口电压驻波比

稳定性

基于SP模型的LNA设计

直流分析

S参数分析

设计指标 :

噪声系数:NF=\frac{Sin/Nin}{Sout/Nout}

增益:G=\frac{P2}{P1}

工作频率和带宽

输入信号功率动态范围

端口驻波比

稳定性

sp模型分为"pb_hb_"和"sp_hb_",其中第一个是封装类模型(用于直流和偏置电路扫描设计),第二个是S参数模型,用于射频性能仿真

设计步骤:

SP模型制作安装

直流工作点扫描和选取

S参数特性仿真

阻抗匹配

稳定性、噪声系数、增益的优化仿真

AT41533设计:NF<2.5dB;Gain>8dB;VSWR<2;K>1

选择工作点(Vce=2.7V,Ic=5mA)

BJT Curve Tracer:能测量 BJT 的各种特性曲线,如输入特性曲线(基极电流\(I_B\)与基极 - 发射极电压\(V_{BE}\)的关系)和输出特性曲线(集电极电流\(I_C\)与集电极 - 发射极电压\(V_{CE}\)的关系)。通过这些曲线,可以直观地了解 BJT 在不同工作条件下的电气性能。

S参数分析:

增益=4.97<8,用微带线进行阻抗匹配:

 微带线:宽度决定特性阻抗、长度决定电容电感特性。

基于实际晶体管模型的LNA设计

控件:直流伏安特扫描控件、偏置电路扫描控件、

  1. 通过S参数分析晶体管绝对稳定特性和最大转移增益是否满足要求
  2. 根据数据手册选取静态直流工作点(根据噪声系数、增益等要求)
  3. 晶体管库文件安装
  4. 添加DC_BJT或DC_FET控件进行晶体管直流特性分析
  5. 在TransistorBias面板选择偏置电路控件完成偏置电路设计
  6. 利用stabfact和Maxgain控件求解偏置电路下的稳定因子K曲线和最大增益曲线
  7. 若K或Gain不满足要求,修改电路或更换晶体管
  8. 如果电路中电感为非标准值,则需要将电感值转换为微带线l(mm)=\frac{11.81L(nH)}{Z0\sqrt{\epsilon r}}*24.5(经验公式)
  9. 仿真已选偏置电路下的噪声系数,通过开启S参数仿真控件“Calculate noise”
  10. 输入阻抗求解
  11. 输入阻抗匹配
  12. 输出阻抗求解
  13. 输出阻抗匹配

本质就是一个真实的、接近事实应用环境的晶体管模型,可以直接应用于实际电路设计,其封装的内部电路结构与实际完全一致。

设计指标:NF<0.6dB;Gain>15dB;K>1

由图1、3可知:当vds(vce)=3V、Ids(Ic)在10mA~60mA时满足NF<0.5,且Ids>10mA时,Gain>15dB.

因此可以在Vds=3V,Ids在10mA~60mA时任选一点作为静态工作点满足设计指标。

比如我们选择Vds=3V,Ids=20mA,选好静态工作点后就可以设计偏置电路(ADS自动设计)

导入库 

静态工作点选择(分析福安特性曲线):

栅极连接Gate,漏极连接Drain,源极接地

VGS_start:栅极起始电压;VGS_stop:栅极终止电压;VGS_point:栅极电压采样点

结果(m1:3V,60mA)

偏置电路设计

自动设计好的偏置电路: 

 查看结果并调整

Vds不足60mA,调整偏置电路

新建原理图改成实际电路 

求解最大资用增益和K 

是否满足Gain>15dB、K>1

隔交流电感:避免交流信号影响直流偏置

隔直流电容:避免交流信号影响直流信号 

K不满足,要么修改电路增加负反馈,要么修改晶体管

 在源极串联电感(微带线电感)改善K值

 求解噪声系数(理想噪声)

通过做匹配使实际噪声无限靠近理想噪声

绘制等增益圆和等噪声系数圆 

选择M2作为匹配点 

需要把 24.187-j6.335匹配到50Ω(直接用smith工具匹配)

 

输出端也要匹配 

结果:

 

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