欢迎来到尧图网

客户服务 关于我们

您的位置:首页 > 房产 > 建筑 > ISO 26262中的失效率计算:IEC 61709-Clause 7_Discrete semiconductors

ISO 26262中的失效率计算:IEC 61709-Clause 7_Discrete semiconductors

2024/10/24 19:26:26 来源:https://blog.csdn.net/weixin_47071127/article/details/141183042  浏览:    关键词:ISO 26262中的失效率计算:IEC 61709-Clause 7_Discrete semiconductors

目录

概要

1 元器件分类和基准温度

2 Transistors 失效率的计算

2.1 失效率预测模型

2.2 电压应力系数

2.2.1 电压应力系数计算模型

2.2.2 电压应力系数计算

2.3 温度应力系数

2.3.1 温度应力系数计算模型

2.3.2 温度应力系数计算

3 Diodes and power semiconductors 失效率的计算

3.1 失效率预测模型

3.2 温度应力系数

3.2.1 温度应力系数计算模型

3.2.2 温度应力系数计算


概要

IEC 61709是国际电工委员会(IEC)制定的一个标准,即“电学元器件 可靠性 失效率的基准条件失效率转换的应力模型”。主要涉及电学元器件的可靠性,包括失效率的基准条件和失效率转换的应力模型。本文介绍IEC 61709第七章:Discrete semiconductors 的失效率预测模型。

1 元器件分类和基准温度

IEC 61709第七章根据元器件的类型和40°C的元器件环境温度,推荐了基准结温θref:

Transistors common, low frequency 的基准温度

Transistors, microwave, (e.g. RF > 800 MHz) 的基准温度

Diodes 的基准温度

Power semiconductors 的基准温度

2 Transistors 失效率的计算

2.1 失效率预测模型

Transistors 的失效率预测模型如下:

式中:

λ:失效率,单位为十亿分之一每小时(10^-8/h);

λref:基准条件下的失效率,单位为十亿分之一每小时(10^-8/h);

πU:电压应力系数;

πT:温度应力系数;

2.2 电压应力系数

2.2.1 电压应力系数计算模型

电压应力系数πU的计算模型1如下:

式中:

Uop:工作电压,单位为伏(V);

Uref:基准电压,单位为伏(V);

Urat:额定电压,单位为伏(V);

C2、C3:常数;

πT:温度应力系数;

2.2.2 电压应力系数计算

参考标准第七章,选择晶体管电压应力系数计算所需的参数:

输入工作电压和额定电压的比值,带入电压应力系数的计算模型,即可得出电压应力系数:

2.3 温度应力系数

2.3.1 温度应力系数计算模型

为充分描述Transistors 温度与失效率的关系,采用包含两个激活能的计算模型,而非采用基于阿伦尼乌斯方程的经验模型:

式中:

A:常数;

Ea1,Ea2:激活能,单位为电子伏特(eV);

K0:常数,8.616×10^-5 eV/K;

T0:313(K);

Tref:基准结温的华氏温度,θref+273(K);

Top:运行结温的华氏温度,θop+273(K);

2.3.2 温度应力系数计算

根据元器件的类型,选择温度应力系数计算所需的参数A、Ea1和Ea2:

结合元器件不同的运行结温、基准结温,带入温度应力系数的计算模型,即可得出不同运行结温和基准结温下温度应力系数:

  • 对于 Transistors,带入A、Ea1、Ea2以及不同的运行结温、基准结温,即可计算出不同的运行结温、基准结温下的温度应力系数:

3 Diodes and power semiconductors 失效率的计算

3.1 失效率预测模型

Diodes and power semiconductors的失效率预测模型如下:

式中:

λ:失效率,单位为十亿分之一每小时(10^-8/h);

λref:基准条件下的失效率,单位为十亿分之一每小时(10^-8/h);

πT:温度应力系数;

3.2 温度应力系数

3.2.1 温度应力系数计算模型

为充分描述Diodes and power semiconductors温度与失效率的关系,采用包含两个激活能的计算模型,而非采用基于阿伦尼乌斯方程的经验模型:

式中:

A:常数;

Ea1,Ea2:激活能,单位为电子伏特(eV);

K0:常数,8.616×10^-5 eV/K;

T0:313(K);

Tref:基准结温的华氏温度,θref+273(K);

Top:运行结温的华氏温度,θop+273(K);

3.2.2 温度应力系数计算

根据元器件的类型,选择温度应力系数计算所需的参数A、Ea1和Ea2:

结合元器件不同的运行结温、基准结温,带入温度应力系数的计算模型,即可得出不同运行结温和基准结温下温度应力系数:

  • 对于Reference and microwave diodes ,带入A、Ea1、Ea2以及不同的运行结温、基准结温,即可计算出不同的运行结温、基准结温下的温度应力系数:

  • 对于Diodes (without reference and microwave diodes) and power semiconductors :带入A、Ea1、Ea2(Ea2的值为0)以及不同的运行结温、基准结温,即可计算出不同的运行结温、基准结温下的温度应力系数:

版权声明:

本网仅为发布的内容提供存储空间,不对发表、转载的内容提供任何形式的保证。凡本网注明“来源:XXX网络”的作品,均转载自其它媒体,著作权归作者所有,商业转载请联系作者获得授权,非商业转载请注明出处。

我们尊重并感谢每一位作者,均已注明文章来源和作者。如因作品内容、版权或其它问题,请及时与我们联系,联系邮箱:809451989@qq.com,投稿邮箱:809451989@qq.com