第十一届省赛(大学组)
1.稳压二极管时利用PN节的反向击穿特性制作而成
2.STM32嵌套向量终端控制器NVIC具有可编程的优先等级 16 个
3.一个功能简单但是需要频繁调用的函数,比较适用内联函数
4.模拟/数字转换器的分辨率可以通过输出二进制数字信号的位数来判断
5.STM32固件库中的stm32f10x.h文件定义了各类外设的寄存器结构体和相关定义
6.数字时序逻辑电路的输出与当前输入、电路原状态有关
7.实现A/D转换的方法有计数法、双积分法、逐次逼近法
8.STM32微控制器的片内FLASH存储器(掉电不丢失数据)一次可以写入16位
9.STM32微控制器USART1的波特率通过PCLK2提供
PCLK1 适用于USART2、3、4、5
PCLK像素时钟
第十一届省赛(研究生组)
1.场效应管的导通电阻与温度、Vgs有关
2.通过RS485 总线(一种通信协议)进行通信的两个设备,至少需要通过2跟线进行连接
3.嵌入式系统设计的主要目标:低功耗、低成本、高实时性
高性能不是其目标
4.下列中,SRAM比较适用于大量高速数据缓存应用场景
SRAM静态随机存取存储器
DRAM动态
EEPROM指带电可擦可编程只读存储器
FLASH一种非易失性存储设备,用于存储数据和程序
5.FAT、NTFS、Ext是比较典型的文件系统格式
第十届省赛(研究生组)
1.某存储器芯片的存储容量为8KB,数据线8根,地址线为13根
2.
3.
4.STM32G431RBT6 每个DMA 通道具有( 3)事件标志。
DMA:直接内存访问
5.放大电路在负载开路时的输出电压为0.4V,接入3K 的电阻负载后,输出的电压降
为0.3V,则该放大电路的输出电阻为( D)。
A.10K B.2K
C.3K D.1K
6.
三极管
三极管正常工作需要满足三个极限参数的限制,即集电极最大允许功率损耗Pcm、集电极最大允许电流Icm和集 - 射极反向击穿电压U(br)ceo。
集电极功率损耗Pc=Uce*Ic,需满足Pc<=Pcm;集电极电流Ic<=Icm;集 - 射极电压Uce<U(br)ceo。
7.
三级流水线分别指取指、译码、执行
8.
APB2总线最大频率是系统时种的1/4
APB1总线最大频率是系统时种的1/2