一、LM5160-Q1 规格书深度解读与硬件设计参数提取
核心功能
宽输入范围：4.5V~65V，支持汽车级输入电压波动（AEC-Q100 标准，温度等级 1：-40°C~125°C）。
集成度：内置高侧 / 低侧 MOSFET，无需外部肖特基二极管，同步降压 / Fly-Buck 双模式。
控制架构：自适应恒定导通时间（COT）控制，无需环路补偿，瞬态响应快（典型 100ns 电流限制响应时间）。
保护特性：峰值电流限制（2.125A~2.875A）、欠压锁定（EN/UVLO）、热关断（175°C 阈值，20°C 迟滞）。
关键引脚功能
| 引脚 | 功能 | 设计关注点 |
|---|---|---|
| EN/UVLO | 欠压锁定与使能，阈值 1.24V（上升沿）/0.35V（下降沿） | 输入电压检测分压电阻设计 |
| RON | 导通时间编程， T O N = R O N × 1 0 − 10 V I N T_{ON} = \frac{R_{ON} \times 10^{-10}}{V_{IN}} TON=VINRON×10−10 | 开关频率设定（通过 R O N = V O U T F S W × 1 0 − 10 R_{ON} = \frac{V_{OUT}}{F_{SW} \times 10^{-10}} RON=FSW×10−10VOUT） |
| FB | 反馈输入，参考电压 V R E F = 2 V V_{REF}=2V VREF=2V（±0.1%） | 输出电压分压电阻匹配（ V O U T = V R E F × ( 1 + R F B 2 / R F B 1 ) V_{OUT} = V_{REF} \times (1 + R_{FB2}/R_{FB1}) VOUT=VREF×(1+RFB2/RFB1)） |
| FPWM | 强制 PWM 模式（高电平时 CCM，低电平时 DCM） | 轻负载效率优化（DCM）或多输出隔离（CCM） |
| BST | bootstrap 电容引脚，需 10nF~100nF 陶瓷电容 | 高侧 MOSFET 驱动电压稳定 |
电气参数提取
开关频率：通过 R O N R_{ON} RON可调，最高 1MHz（典型 300kHz~500kHz）。
导通电阻：高侧 R D S ( O N ) = 0.29 I ^ © R_{DS(ON)}=0.29Ω RDS(ON)=0.29I^c◯（典型），低侧 0.13 I ^ © 0.13Ω 0.13I^c◯（典型），影响导通损耗。
启动特性：软启动电容 C S S C_{SS} CSS控制输出上升时间（典型 10μA 充电电流）。
ESD 等级：HBM ±2000V，CDM ±750V，需防静电布局。
二、Fly-Buck 电路设计（12V 输入，15V 隔离输出，20mA）
（一）设计目标与架构选择
输入条件： V I N = 12 V V_{IN}=12V VIN=12V（标称），欠压锁定阈值 V U V L O = 7 V V_{UVLO}=7V VUVLO=7V（即 EN/UVLO 引脚电压 = 1.24V 时， V I N = 7 V V_{IN}=7V VIN=7V）。
输出要求：隔离输出 V O U T ( I S O ) = 15 V V_{OUT(ISO)}=15V VOUT(ISO)
