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继HBM之后, 内存领域新宠MCR DIMM闪亮登场!

2025/2/25 6:12:02 来源:https://blog.csdn.net/zhuzongpeng/article/details/140809195  浏览:    关键词:继HBM之后, 内存领域新宠MCR DIMM闪亮登场!

随着人工智能(AI)和大数据的迅速发展,新型DRAM正迎来新的发展机遇。在服务器需求的推动下,MCRDIMM作为内存行业的新宠儿,正逐步登上历史舞台。

扩展阅读:MCR DIMM如何解决内存带宽瓶颈?

MCR DIMM的核心在于其创新的数据缓冲器(data buffer)设计,这是基于英特尔MCR技术的一种新型内存架构。传统上,DRAM模块在每次访问时只能激活一个内存列,而MCR DIMM通过在模块上集成的数据缓冲器,能够同时操作两个内存列,从而使得每次数据传输量翻倍,达到128字节。

JEDEC宣布将发布DDR5 MCR DIMM标准,旨在支持下一代HPC和AI应用。相比传统的RDIMM,MCRDIMM能在保持良好兼容性的同时提供更高的带宽,有望大幅提升服务器性能并降低总体拥有成本(TCO)。

虽然HBM在给定容量下可以实现更高的带宽和能效,但由于成本高昂、容量较小且缺乏可扩展性,其应用领域较为有限。

相比之下,MRDIMM/MCRDIMM作为面向大容量、成本效益和可扩展内存的主流解决方案,有望成为未来AI和HPC首选的主要内存方案。

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